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dc.contributor.author林逸彬en_US
dc.contributor.authorLIN, YI-BINen_US
dc.contributor.author吳慶源en_US
dc.contributor.authorWU, GING-YUANen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:04:29Z-
dc.date.available2014-12-12T02:04:29Z-
dc.date.issued1986en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT752430068en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/52972-
dc.description.abstract為了評估熱成長薄氧化層及氮化氧化層的電性及可靠度,我們備製了厚度從40埃到 110埃成長在N 型矽基底上的薄氧化層及薄氮化氧化層的電容,其中氮化溫度為7 50,800,900,1000度,氮化時間為0•5,1•0,2•0,3•0 小時。我們檢驗了這些薄膜的崩潰電壓分佈圖,線性加壓下的電壓對電流特性,以及 在固定電流流通下的電壓對時間特性。經實驗證實,當氧化層厚度愈薄,其崩潰電場 強度及崩潰時間愈大;在固定電流流通下,薄氧化層有較小的電壓漂移;捕獲截面積 則與厚度無關;對同厚度的氧化層,較小的電流密度流通有較大的崩潰電荷。對氮化 氧化層而言,崩潰電場及時間,預留陷井密度,陷井產生率,捕獲截面積,皆與氮化 時間,溫度和薄膜厚度有關。與氧化層比起來,氮化氧化層有較低的崩潰電壓,較大 的捕獲面積,較小的陷 產生率,以及較小的電壓漂移,經由適當的氮化,崩潰電荷 及電壓漂移可獲改進。另外,經由在線性加壓測試下的實驗結果可發現介於矽與二氧 化矽間的位障隨著氮化時間加長或溫度加高而降低。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject薄氧化層zh_TW
dc.subject薄氮化氧化層zh_TW
dc.subjectN 型矽基底zh_TW
dc.subject崩潰電壓分佈圖zh_TW
dc.subject電壓漂移zh_TW
dc.subject陷井密度zh_TW
dc.subject位障zh_TW
dc.title薄氧化層及薄氮化氧化層的電性zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文