完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
---|---|---|
dc.contributor.author | 林逸彬 | en_US |
dc.contributor.author | LIN, YI-BIN | en_US |
dc.contributor.author | 吳慶源 | en_US |
dc.contributor.author | WU, GING-YUAN | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:04:29Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:04:29Z | - |
dc.date.issued | 1986 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT752430068 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/52972 | - |
dc.description.abstract | 為了評估熱成長薄氧化層及氮化氧化層的電性及可靠度,我們備製了厚度從40埃到 110埃成長在N 型矽基底上的薄氧化層及薄氮化氧化層的電容,其中氮化溫度為7 50,800,900,1000度,氮化時間為0•5,1•0,2•0,3•0 小時。我們檢驗了這些薄膜的崩潰電壓分佈圖,線性加壓下的電壓對電流特性,以及 在固定電流流通下的電壓對時間特性。經實驗證實,當氧化層厚度愈薄,其崩潰電場 強度及崩潰時間愈大;在固定電流流通下,薄氧化層有較小的電壓漂移;捕獲截面積 則與厚度無關;對同厚度的氧化層,較小的電流密度流通有較大的崩潰電荷。對氮化 氧化層而言,崩潰電場及時間,預留陷井密度,陷井產生率,捕獲截面積,皆與氮化 時間,溫度和薄膜厚度有關。與氧化層比起來,氮化氧化層有較低的崩潰電壓,較大 的捕獲面積,較小的陷 產生率,以及較小的電壓漂移,經由適當的氮化,崩潰電荷 及電壓漂移可獲改進。另外,經由在線性加壓測試下的實驗結果可發現介於矽與二氧 化矽間的位障隨著氮化時間加長或溫度加高而降低。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 薄氧化層 | zh_TW |
dc.subject | 薄氮化氧化層 | zh_TW |
dc.subject | N 型矽基底 | zh_TW |
dc.subject | 崩潰電壓分佈圖 | zh_TW |
dc.subject | 電壓漂移 | zh_TW |
dc.subject | 陷井密度 | zh_TW |
dc.subject | 位障 | zh_TW |
dc.title | 薄氧化層及薄氮化氧化層的電性 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |