標題: Polyformyloxystyrene光阻微影成像性質之研究
作者: 洪維民
HONG, WEI-MIN
龍文安
LONG, WEN-AN
應用化學系碩博士班
關鍵字: 光阻特性;感光劑;現場抗蝕刻光罩;PLOYFORMYLOXYSTYRENE;POLYHYDROXYSTYRENE;AZIDE;IN-SITUETCHING-MASK
公開日期: 1986
摘要: 兩性光阻因顯影過程中無負型阻之膨潤現象,解析度較高,在次微米積體電路中的重 要性正日益提高。本研究合成了鄰、間、對位(o 、m 、p )三種polyformyloxyst- yrene (P-2FS,P-3FS,P-4FS)及對應的三種polyhydrox-ystyrene (P-2HS, P-3HS,P-4HS)。P-FS經曝生光成P-HS。曝光前後兩者極性不同,選擇當極性的溶 劑可使兩者表現甚大的溶解度差異,呈現兩性光阻的特性。 本研究選擇了P-3HS,P-3FS及兩者分別加入感光劑(azide )的光阻(P-3HSAZ, P-3FSAZ)做為製程上性質探討的重點。不同比例的感光劑使光阻的感度(sensiti- vity),對比(contrast),抗蝕刻性亦有所不同,含感光劑較多者效果較好,但有 極限。P-3HSAZ具極性變化又具交聯變化,是雙功能光阻,製程的寬容度比P-3HSAZ 好。P-3FS曝光後產物P-3HS與P-3FS本身在deep UV 光區皆有強烈吸收,λmax 相 近,可得現場抗蝕刻光罩(in situetching mask ),利用這項特性,使得P-3FS在 金屬化脫除(lift-off)製程中具有類雙層光阻(quasi-bilayer )的功能,使金屬 化的製程由常見的L□E□P□或L□E□P□簡化為L□E□P□。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT752500004
http://hdl.handle.net/11536/53110
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