對金氧半場效電晶體數值模擬幾種新的初始值設定方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	林榮堅	en_US
dc.contributor.author	LI, RONG-JIAN	en_US
dc.contributor.author	吳慶源	en_US
dc.contributor.author	WU, GING-YUAN	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:04:44Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:04:44Z	-
dc.date.issued	1986	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT752507014	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/53144	-
dc.description.abstract	本篇論文以De La．Moneda和Meinerxhagen分別提出的方法出發，經適當的修改與增添後，得到幾種新的適用於單載子元件的初始值設定方法。這些方法已經被實際應用到包括高偏壓操作和短通道的２維金氧半場效電晶體之模擬上。事實證明這些方法不但本身耗時甚少，且大幅的降低傳統元件模擬的時間。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	高偏壓	zh_TW
dc.subject	金氧半場效電晶體	zh_TW
dc.title	對金氧半場效電晶體數值模擬幾種新的初始值設定方法	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	應用數學系所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文