矽閘藍達雙載子電晶體

Abstract

本文研究的主要目的，在利用複晶矽閘金氧半場效電晶體的技術去製造藍達雙載子電 晶體。複晶矽閘藍達雙載子電晶體的閘極對汲極和源極間的重疊電容值其低，故它的 反應速率能夠增加。並因複晶矽製程的特性，它的直流電流增益也較易於控制。 為了正確的描述藍達電晶體在各種不同工作區域中的電流和電壓間的關係，所以我們 發展出一種結合了傳統金氧半場效電晶體和雙載子電晶體特性的模型，其中藍達電晶 體的次臨界電流所造成的影響也包括在內。 藍達電晶體也可用來接收光學訊號，在這種情形下它被稱為藍達雙載子光電晶體。它 的電流對電壓模型也被發展出來，並加以討論。 最後，藍達電晶體被用於史密特激發電路中，並顯示出部份它可能的應用方向。