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dc.contributor.author呂定洲en_US
dc.contributor.authorLU, DING-ZHOUen_US
dc.contributor.author吳重雨en_US
dc.contributor.authorWU, CHONG-YUen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:05:03Z-
dc.date.available2014-12-12T02:05:03Z-
dc.date.issued1987en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT762430021en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/53405-
dc.description.abstract本文旨在研究短通道金氧半元件工作在交流脈波下時,熱載子如何使元件退化。 在成長氧化層時,氧氣中混有脫水之氯化氫,或以濕氧長氧化層時,在矽與氧化層間 有大量的矽氫鍵存在。當熱載子注入氧化層時,可能將此鍵打斷而形成三價矽原子及 氫原子。三價矽原子的未鍵結鍵是電洞的陷阱。此鍵能抓一個電洞或與氫原子重新鍵 結。抓住電洞的陷阱可吸引電子與之中和。在抓住電洞及中和過程中所釋放之能量。 會導致介面狀態或接受一似陷阱產生。 電晶體工作在交流脈波下時,大量的熱電子在高閘極電壓時注入氧化層,產生大量的 電洞陷阱。而當閘極電壓降低時,熱電洞注入氧化層,並且在三價矽原子重新與氫原 子鍵結前,陷在陷阱中,在下個週期注入之熱電子,中和被陷住之電洞。經此過程, 而導致電晶體嚴重的退化。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject交流脈波zh_TW
dc.subject短通道金氧半元件zh_TW
dc.subject熱載子效應zh_TW
dc.subject矽氫鍵zh_TW
dc.subject三價矽原子zh_TW
dc.subject電洞zh_TW
dc.subject未鍵結鍵zh_TW
dc.subject閘極電壓zh_TW
dc.title交流脈波工作下短通道金氧半元件之熱載子效應zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文