標題: | 毫米波與微波單石寬頻傳送波放大器積體電路 |
作者: | 鍾炳文 ZHONG, BING-WEN 蘇翔 莊晴光 SU, XIANG ZHUANG, GING-GUANG 電子研究所 |
關鍵字: | 毫米波;微波;積體電路;砷化鎵;介電常數;VIA, HOLE |
公開日期: | 1987 |
摘要: | 本論文主要在談論砷化鎵金半場效電晶體與耦合微帶差動對傳送放大器之特性。ぇ它 可增加訊號╱雜訊比,換句話它可提高對雜訓免疫能力。え定電流源可減少元件參數 對周遭環境之變化。ぉ沒有接地平面,沒有Via Hole,全部訊號可在上平面加入。お 使用耦合微帶能量更能集中於微帶之間。か介電常數對頻率變化小,因此耗散小。が 增益約3db±0.5db,頻寬從DC到15GHz。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT762430037 http://hdl.handle.net/11536/53422 |
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