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dc.contributor.author鄭芳前en_US
dc.contributor.authorGUO, FANG-GIANen_US
dc.contributor.author黃伯修en_US
dc.contributor.authorHUANG, BO-XIUen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:05:05Z-
dc.date.available2014-12-12T02:05:05Z-
dc.date.issued1987en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT762430047en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/53433-
dc.description.abstract本論文提出一種新的邏輯結構,它是用二極體來取代傳統電流模式邏輯(Current R- atio Logic)的負載電阻,使其工作於電流比值的邏輯位準上。此不同於傳統的電壓 位準,故名電流比值邏輯(Current Ratio Logic )。 在本論文中,說明了電流比值邏輯的基本原理,並且使用SPICE 程式,模擬比較電流 比值邏輯與電流模式邏輯的異同。分別就速度、扇出能力及雜訊邊限等各方電的特性 ,比較分析模擬後的結果。 在相同的製程技術下,電流比值邏輯比電流模式邏輯約快20%,扇出能力改善約5 ∼10倍,同時在D 型起伏器中的設定時間,比原來快了4倍左右。凡此種種,顯示 其本的邏輯性能,改善了許多。但因其增益不足為1,經過幾級串接後,必須加一級 增益級,以恢復被衰減的電流比值,同時維護它的雜訊邊限能力。 本研究使用雙載子互補金氧半導體Bi-CMOS )製程,射極尺寸為1.5μm×4μm的 技術。一起把電流比值邏輯及電流模式邏輯做在同一個晶片上,做為比較驗證之用。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject電流zh_TW
dc.subject電流比值zh_TW
dc.subject電流比值邏輯zh_TW
dc.subject二極體zh_TW
dc.subject電流模式邏輯zh_TW
dc.subjectCURRENT-RATIO-LOGICen_US
dc.subjectCURRENT-MODE-LOGICen_US
dc.title電流比值邏輯zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文