從實測之散射參數求得大信號SPICE砷化鎵MESFET模型之最佳化

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	劉復	en_US
dc.contributor.author	LIU, FU	en_US
dc.contributor.author	莊晴光	en_US
dc.contributor.author	ZHUANG, GIN-GUANG	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:05:09Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:05:09Z	-
dc.date.issued	1987	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT762436016	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/53471	-
dc.description.abstract	本文提出一理想的大信號SPICE 砷化錠MESFET模型，它適用於大信號與小信號MMIC電路之 I－ V測量值，然後再利用最佳化方法調整晶體模型內的敏感參數，以吻合實際從 1到25GHz ，在某個偏壓下，所測得之散射參數。由此所之大信號SPICE 砷化錠ME SFET模型，亦能正確地預測在其他不同偏壓時的散射參數。本文中所提之晶體模型和寬頻參數最佳化之概念，能使得SPICE 程式更有效地被應用於某些MMIC電路之設計，譬如寬頻的Traveling Amplifier 以及大動態變化之放大器。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	散射參數	zh_TW
dc.subject	砷化鎵	zh_TW
dc.subject	晶體模型	zh_TW
dc.subject	寬頻參數	zh_TW
dc.subject	信號	zh_TW
dc.title	從實測之散射參數求得大信號SPICE砷化鎵MESFET模型之最佳化	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電信工程研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文