標題: 氧電漿及深紫外光攜附式光罩之研究
作者: 黃俊雄
HUANG, JUN-XIONG
龍文安
LONG, WEN-AN
應用化學系碩博士班
關鍵字: 氧電漿;深紫外光;攜附式光罩;負型光阻系統;PORTABLE-COMFORMABLE-MASK;PCM
公開日期: 1987
摘要: 本研究係在基材表面塗佈較厚的下層為平坦層,約1.6∼2um,及較薄的上層為影 像層,約0.4∼0.6um 。將上層顯影的圖案作為密接式光罩,即攜附式光罩( Portable Comformable Mask,PCM ),再以乾或溼蝕刻方法將上層圖案轉移至下層 。 攜附式光罩複層阻劑系統對於阻劑感度,圖案線幅控制,高寬比,輪廓,影像聚焦容 許度,鄰近效應,電荷效應及最重要的解像度等單層阻劑系統所遭遇的困難皆有所改 良。 本論文是研究兼具氧電漿及深紫外光攜附式光罩之複層阻劑系統。以有機矽聚合物為 上層,因Si╱C 比值高故可耐氧電漿蝕刻性強。以PMMA或其共聚物為下層,屬碳氫化 合物,不耐氧電漿蝕刻。此上層系統,可做為下層的氧電漿攜附式光罩。 另外PMMA可混摻自製之深紫外線交聯劑;4,4′-Diazido -3,3′-dichloro -diphenylmethane (簡稱Bisazide),經252nm曝光後可與PMMA產生交聯,是非 常靈敏的負型光阻系統。Bisazide(30wt%)╱PMMA lum膜厚,感度約為100mj ╱cm□。因有機矽聚合物在深紫外光220∼290nm區有極強的吸收,故上層以3 34nm曝光顯影後,再以252nm曝光,上層可作為下層的深紫外光攜附式光罩。 如僅以PAMM或其共聚物為下層,不加交聯劑做正型阻劑,因感度不佳,所需曝光劑量 甚大,上層亦產生光漂白作用,無法做為攜附式光罩。 本研究使用雷射干涉法,配合500瓦汞一氙燈光源,進行了曝光劑量,膜厚,顯影 時間及溶解速率相互間關係之動態測量。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT762500011
http://hdl.handle.net/11536/53521
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