鏑鋇銅氧化物高溫超導體摻錫之研究

Abstract

對高溫超導體ＤｙＢａ□Ｃｕ□Ｏ□□d 摻錫以後的樣品ＤｙＢａ□Ｃｕ□□□x Ｓ ｎ□x Ｏ□□d ，ｘ＝０，０．０２５，０．０５，０．０７５，０．１，０．１５ ，０．２，０．２５，０．３，０．３５，０．４。我們分別以Ｘ光繞射電阻，交流 感磁率Ｘac和臨界電流密度Ｊc 的測量，以及梅思堡效應作了一系列的探討。實驗結 果顯示：只要摻入的錫不是非常多時（ｘ≦０．２），則它對超導性影響性就極為微 小。因此ＳｎＯ□應可作為Ｓｉ或ＳｉＯ□基板與高溫超導薄膜間的緩衝層，藉此提 高超導薄膜的Ｔc 。