標題: 二維電子雲場效電晶體的分析與模擬
作者: 陳德芳
CHEN, DE-FANG
張國明
張俊彥
ZHANG, GUO -MING
ZHANG, JUN-YAN
電子研究所
關鍵字: 電子;電晶體;模擬;電子雲場效電晶體;帕森方程式;薛丁格方程式;量子現象;交換電位;ELETRONICS;TRANSISTOR;MODEL;TEGFET;POISSON'S-EQUATION;SCHRODINGER'S-EQUATION;CXCHANGE-CORRELATION-POTENTIAL
公開日期: 1988
摘要: 本論文已成功地發展三種數值模式,來探討二維電子雲場效電晶體(TEGFET) 的量子效應:三維古典波茲曼模式(3-D classical Boltzma nn model)、三維古典費米一狄拉模式3-d classical Fe rmi-Dirac model)和二維量子模式(2-D quantum m echanical model)。前兩種古典模式僅探討帕森方程式(Pois son′s equation);第三種量子模式加入薛丁格方程式(Schro dinger′s equstion),更準確描述電子的量子現象。在第三種數 值模式中,我們包含自建量子二維次帶、帕森方程式之數值解與空間電荷。于自建數 值解過程中,我們又特別考慮以下四點:1•較大能隙層之電子次帶、較高電子次帶 能階、三維電洞和交換電位(exchange-correlation pot ential)。我們所採用的數值方法為有限差分邊界值法,此法可穩定快速得到 我們所需要數值解。對於解出薛丁格方程式中之特徵能階,則是使用Sturm序列 法求得。 基於此種準確數值模式,我們對於傳統的單異質接面與雙異質接面的兩種結構之二維 電子雲場效電晶體,加以分析和比較。根據計算結果顯示,古典近似解高估了電子濃 度。某種情況下,三維古典波茲曼模式的結果,其誤差可達百分之三十以上。另外雙 異質結構之元件可增加電子濃度,改善互導、截止頻率與二維電子雲有效平均距離等 特性。此外,本研究中朼考慮隔層的厚度、殘留受體濃度和溫度等對元件特性之影響 。 最後,從一個元件模擬模式觀點,我們可以有效的設計和分析單質接面與雙異質接面 二維電子雲場效電晶體,于積體電路中得到最佳化元件效益。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772430018
http://hdl.handle.net/11536/53882
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