標題: 互補式金氧半能隙參考電壓源以及與電容比值無關之類比/ 數位轉換器的設計
作者: 泰旭沅
QIN, XU-YUAN
吳重雨
WU, CHONG-YU
電子研究所
關鍵字: 互補式金氧半;電壓;電容;類比;數位;轉換器;VOLTAGE;ELECTRIC-CAPACITY;RESEMBLING
公開日期: 1988
摘要: 本論文提出三種新的互補式金氧半能隙參考電壓(CMOS bandgap vo ltage reference)電路設計,以及一個全新架構的與電容比值無關 的類比/數位轉換器。 此新的互補式金氧半能隙參考電壓電路採用多晶矽當電阻,用自然產生的垂直方向n -p-n雙載子電晶體當做參考二極體。此電路能夠產生一個穩定的參考電壓, 約 1•185V,其溫度係數只有10ppm/C從-55C到75C,而其對電壓源 變化的敏感度只有0•1%從4•5V到13V。這個電路不但能夠提供一個非常穩 定的參考電壓,而且其架構非常簡單,至於起動電路則只需要一個電容,所以起動電 路也與電壓源的變化無關。 至於新設計的與電容比值無關的類比/數位轉換器,則是使用關關電容(SC)的技 術以及新設計的電荷轉換法,來達成與電容比值及放大器抵補電壓(offset voltage)無關的設計。此外,此電路的架構簡單,只需要三個運算放大器, 一個比較器,七個電容以及一些CMOS開關,所以這個電路只需要很小的積體電路 面積。這個與電容比值無關的類比/數位轉換器只需要2n個週期的時間來完成n個 位元的輸出,這是目前在這個領域中最快的設計。在40KHz的工作頻率下,其解 析度可達12位元。如果能提高運算放大器開路敦大率以及進一步消除開關所注射的 錯誤電荷,那麼就能將這個類比/數位轉換器的解析度提高到12位元以上。 我們完成了SPICE電路模擬,並且用3•5um互補式金氧半(CMOS)的技 術來製造。至於測量及更進一步的研究,則有待將來繼續的努力。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772430021
http://hdl.handle.net/11536/53885
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