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dc.contributor.author劉德成en_US
dc.contributor.authorLIU, DE-CHENGen_US
dc.contributor.author李建平en_US
dc.contributor.author雷添福en_US
dc.contributor.authorLI, JIAN-PINGen_US
dc.contributor.authorLEI, TIAN-FUen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:05:52Z-
dc.date.available2014-12-12T02:05:52Z-
dc.date.issued1988en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772430051en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/53919-
dc.description.abstract由於半導體雷射的應用領域日趨廣大,例如:雷射唱盤、雷射印表機、雷射條碼器、 光纖通訊等等,均為在日常生活中應用的實例。由於其體積小,因此,所有雷射中最 易商品化的就是半導體雷射。 另外,為了提高雷射印表機的解析度、列印的速度,以及減少長途光纖通訊所需要的 中繼放大器數目,以求降低舖設的成本,這些都需要較高功率的半導體雷射。因此, 高功率半導體雷射正在不斷地發展中,成為下一代商品化的目標,而其高附加價值更 是其發展的原動力。 在本論文中,基本上,我們已經成功地使用液相磊晶技術,研製出砷化鎵鋁╱砷化鎵 高功率半導體雷射陣列。這些半導體雷射陣列包含了不同數目的條狀陣列。而它們又 分成三類不同的結構。 第一類是脊狀結構。這類的脊狀結構元件共振腔長400微米,在室溫下所測得的最 高光輸出功率可以達到1瓦以上。然而,這類結構並不能有效地防止條狀雷射單元間 的漏電流。因此,我們又再研製出第二、第三類結構,以求有效地防止漏電流。 第二類是以上述結構為基礎,再以質子植入法來達到阻隔非必要的電流通過。這類元 件的共振腔長300微米,在室溫下測得的最高功率是1.36瓦。另外,尚有一個 含有一又二分之一個陣列的Y-耦合型陣列,其共振腔長240微米,在室溫下測得的 最高光輸出功率為1.78瓦以上。 第三類,也是最後一類結構,是以第一類結構為基礎,而在條狀單元之外,以低溫電 漿加強式化學氣相沈積法,覆蓋氮化矽,來達到防止漏電流的目的。這類元件的共振 腔長300微米,在室溫操作下,50個元件的平均最高功率,高達0.9瓦以上, 而且有26%的元件超過1瓦。 所有的元件,都是在不具備良好的散熱情況下測試其特性。其所發出的雷射光均具有 多縱向模的特性。而第二、第三類半導體雷射陣列元件的平均外在量子效率高達50 %以上。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject半導體zh_TW
dc.subject雷射zh_TW
dc.subject陣列zh_TW
dc.subject半導體電射陣列zh_TW
dc.title高功率半導體雷射陣列zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文