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dc.contributor.author彭念祖en_US
dc.contributor.authorPENG, NIAN-ZUen_US
dc.contributor.author龍文安en_US
dc.contributor.authorLONG, WEN-ANen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:06:06Z-
dc.date.available2014-12-12T02:06:06Z-
dc.date.issued1988en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772500006en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/54143-
dc.description.abstract本研究是以自行合成的聚苯基異丙烯酮(PolyPhenylIsopropenylKetone ,PPIPK ) 與聚甲基異丙烯酮(Ply MethylIsopropenylketone,PMIRK)進行下列微影成像性質 之研究: 一、紫外光正型阻劑系統:以254nm和365nm為主之紫外光曝光,使PPIRK 進行 光裂解反應,而降低分子量,以Xylene:EtOH= 3:8顯影,可得正型圖,未對比值 γ分別為1.825和1.735。以254nm為主之紫外光對PMIPK 曝光,會進行 光裂解反應,而降低分子量,以Ethylacetate顯影,可得正型圖案,對比值γ= 2. 44。 二、中紫外光負型阻劑系統:在PPIPK 中混入光敏性很強的Bisazide交聯劑,以36 5nm為主紫外光曝光而進行交聯反應,用MIBK:EtOH =1:2顯像,可得負型圖案, 對比值γ= 1.138。 三、離子束正型阻劑系統:利用離子植入的方式,選用加速量為40KeV 及80 KeV 的一價氫陽離子(H□)和一價硼陽離子(B□)做為離子,源當離子數累積到10□ □∼10□□ions╱cm□時,以溶劑顯影可得正型圖案。本研究發現數學式Y = Arc- tan (A*T)╱(π╱2) 可模擬阻劑受到不同離子劑量作用後的規格化溶解厚度Y 與時間T 之關係。數學式中之係數A 在本研究實驗條件下與加速能量及離子數之乘積 有線性關係,此線性關係之斜率可代表離子植入後,對阻劑作用之效率。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject合成zh_TW
dc.subject離子束zh_TW
dc.subject離子zh_TW
dc.subject撞擊zh_TW
dc.subject微影成像zh_TW
dc.subject阻劑zh_TW
dc.subject曝光zh_TW
dc.title以PPIPK 及PMIPK 做為正型、負型阻劑及受離子束撞擊微影成像性質研究zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department應用化學系碩博士班zh_TW
顯示於類別:畢業論文