以深紫外光微影成像技術作次微米閘的研究

Abstract

以深紫外光微影作像技術，可以成功的製作次微米T 型閘，利用三層不同靈敏度的光 阻，經過適當的處理程序，可以形成近似T 型的圖樣，再加以蒸鍍金屬及去除阻劑後 ，可以完成具有良好低雜訊特性的T 型閘，在本文中，探討一些深紫外光阻劑，以及 PMMA/P(MMA-MAA)/PMMA和PMMA/PIPK/PMMA這兩類光阻，受曝光量，顯影，烘烤過程和 蒸鍍金屬後的製程特性及影響。 在精確的製程控制及分層顯影之下，可以完成複製性良好，0.3 微米寬的T 型閘，並 且成功地運用在低雜訊的砷化鎵金屬半場效電晶體元件上，此種製程較傳統電子束微 影成像技術，具有簡易，高產量，低成本，更實用化的良好特性。