Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.author何銘燁en_US
dc.contributor.authorHE, MING-YEen_US
dc.contributor.author龍文安en_US
dc.contributor.authorLONG, WEN-ANen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:06:06Z-
dc.date.available2014-12-12T02:06:06Z-
dc.date.issued1988en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772500007en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/54144-
dc.description.abstract對比加強為一種可產生次微米光阻線幅的特殊微影成像製程。此法為在一般單層阻劑 上再塗佈一層薄的具有非線性光漂白性質薄膜,做為對比加強層,可提高下層阻劑的 曝光區與非曝光區間的光強度對比值。只需經一次曝光後,隨即溶去對比加強層,接 著以一般方法顯影阻劑,此法相當簡易,但並非雙層阻劑系統。 由於聚矽化合物(polysilanes )在中紫外光(mid-UV)有極強吸收,適合做為對比 加強材料。本研究聚合了含苯基及烷基的數種聚矽物。研究結果顯示含苯基者(Mw≒ 1000)具線性或近似線性光漂白性質,曝光時折射率可謂不變,曝光參數A ,B ,C 可適用Dill模式。含直鏈己烷基者(Mw≒60000)具非線性光漂白性質,較 含苯基者更適合做為對比加強材料。對比加強增值(gain)可達2.1。經由修正D- ill 模式,本研究導了非線性光漂白曲線模擬數學式,與實驗數據相當吻合,可求出 非線性光漂白曲線的連續光強度變化。 本研究為探討聚矽化合物Si-Si 鍵上所接的有機取代基同做為CEM 時,各項性質的關 係。 從實驗結果可綜合歸納為下列四點: 1.聚矽化合物的取代基為直鏈己烷基時,而光漂白性質為非線性,受分子量的影響 較小;取化基為含苯基時,受分子量的影響較大,當分子量較低時,當分子量較低時 ,則光漂白性質為線性,其曝光參數經修正後與Dill模式相似。 2.不同製程對雙成份正型阻劑S-1713薄膜的曝光參數的影響,於軟烤溫度由7 0℃升為133℃時,A 值急降,B 值略升,C 值不變,說明PAC 受熱破壞分解。對 單成份阻劑,PCPS,在25℃∼105℃軟烤範圍,A ,B ,C 三值無明顯的變化。 3.由PDHS的非線性光漂白性質,不知直鏈己烷基取代基較苯基取代基更適合作為C- EM。但不適用於線性Dill模式。 4.導出非線性光漂白曲線的數學式較文獻已發表者更為精確。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject聚合物zh_TW
dc.subject微影成像zh_TW
dc.subject材料zh_TW
dc.subject有機矽聚合物zh_TW
dc.subject化合物zh_TW
dc.subject曝光zh_TW
dc.title有機矽聚合物做為微影成像對比加強材料之研究zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department應用化學系碩博士班zh_TW
Appears in Collections:Thesis