以PPIPK 及PMIPK 做為正型、負型阻劑及受離子束撞擊微影成像性質研究

Abstract

本研究是以自行合成的聚苯基異丙烯酮（PolyPhenylIsopropenylKetone ，PPIPK ） 與聚甲基異丙烯酮（Ply MethylIsopropenylketone，PMIRK）進行下列微影成像性質 之研究： 一、紫外光正型阻劑系統：以２５４nm和３６５nm為主之紫外光曝光，使PPIRK 進行 光裂解反應，而降低分子量，以Xylene：EtOH= ３：８顯影，可得正型圖，未對比值 γ分別為１．８２５和１．７３５。以２５４nm為主之紫外光對PMIPK 曝光，會進行 光裂解反應，而降低分子量，以Ethylacetate顯影，可得正型圖案，對比值γ= ２． ４４。 二、中紫外光負型阻劑系統：在PPIPK 中混入光敏性很強的Bisazide交聯劑，以３６ ５nm為主紫外光曝光而進行交聯反應，用MIBK：EtOH =１：２顯像，可得負型圖案， 對比值γ= １．１３８。 三、離子束正型阻劑系統：利用離子植入的方式，選用加速量為４０KeV 及８０ KeV 的一價氫陽離子（H□）和一價硼陽離子（B□）做為離子，源當離子數累積到１０□ □∼１０□□ions╱cm□時，以溶劑顯影可得正型圖案。本研究發現數學式Y = Arc- tan （A＊T）╱（π╱２） 可模擬阻劑受到不同離子劑量作用後的規格化溶解厚度Y 與時間T 之關係。數學式中之係數A 在本研究實驗條件下與加速能量及離子數之乘積 有線性關係，此線性關係之斜率可代表離子植入後，對阻劑作用之效率。