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dc.contributor.author王明材en_US
dc.contributor.authorWang, Ming-Caien_US
dc.contributor.author陳茂傑en_US
dc.contributor.author謝太炯en_US
dc.contributor.authorChen, Mao-Jieen_US
dc.contributor.authorXie, Tai-Jiongen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:06:15Z-
dc.date.available2014-12-12T02:06:15Z-
dc.date.issued1988en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT774123002en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/54196-
dc.description.abstract本論文探討PtSi/p-Si 肖特基能障二極體的製作條件和基本特性,並且研製PtSi特基 能障紅外線檢測器。 矽化鉑(PtSi)薄膜係將蒸鍍於矽(Si)肖基底的鉑(Pt)膜在氮氣爐中退火處理而 形成者。實驗發現在350∼700℃的退火溫度範圍內,PtSi薄膜具有良好而穩定 的片電阻值。超過700℃,片電阻值急遽地增加,表示薄膜特性開始劣化了。在4 50到650℃,PtSi/<100>p-Si肖特基能障二極體具有良好穩定的電流-電壓特性 。矽基底為10Ω-cm時,能障高度約為0.23eV,而且能障高度隨基底電阻 率的增高而增高;電流-電壓特性的理想因數約為1.05,且隨基底電阻率的增高 而降低。 在<111>矽晶片製作的PtSi/<111>p-Si肖特基二極體,能障高度從350℃退火 溫度的0.231eV增高為550℃時的0.254eV,這種遽烈的改變並未發 生在PtSi/<100>p-Si特基二極體。 本論文也對不同的矽化鉑厚度(600□,160□,80□),和具有護環結構的 加以探討。結果顯示PtSi厚度為600□與160□的二極體,有極佳的低漏電流, 在77°K,-5V偏壓下的漏電流小於5nA╱cm□。 本研究也利用BF□□,離子佈植的方式來降低肖特基能障的高度,探討在不同的離 子能量與劑量下,能障高度的變化。以40KeV的BF□□離子植入2*10□□ cm□□的劑量可使能障高度從0.235eV調低到0.188eV。 最後本文對此種矽化鉑肖特基能障二極體的紅外光反應做了測量其結果與預測值及電 流-電壓特性比較起來,相當吻合。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject矽化鉑zh_TW
dc.subject能障zh_TW
dc.subject二極體zh_TW
dc.subject紅外線zh_TW
dc.subject片電阻值zh_TW
dc.subject漏電流zh_TW
dc.subject光電學zh_TW
dc.subject光學zh_TW
dc.subject雷射學zh_TW
dc.subject光電工程zh_TW
dc.subjectPTSIen_US
dc.subjectELECTRO-OPTICS-ENGINEERINGen_US
dc.subjectOPTICSen_US
dc.subjectLASERen_US
dc.subjectOPTI-ELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title矽化鉑屑特基能障紅外線檢測器zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
顯示於類別:畢業論文