完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 陳世賢 | en_US |
dc.contributor.author | CHEN,SHI-XIAN | en_US |
dc.contributor.author | 謝正雄 | en_US |
dc.contributor.author | XIE,ZHENG-XIONG | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:06:32Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:06:32Z | - |
dc.date.issued | 1989 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782123011 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/54337 | - |
dc.description.abstract | 在使用光偵測器時,由於各類背景雜光的關係,通常須耦合一匹配之濾光器以增加信 號雜訊比。唯增加濾光片會增加反射之介面數、價格以及裝置的麻煩等問題。因此把 光偵測器與濾光器合併在同一基片上,製成一具濾光效應之偵測元件,即有相的價值 。目前在許多以LED 為光源之紅外線遙控,通訊自動對焦等用途中,強烈的背影光線 導致元件及電路的飽和及雜訊之增加,必須有一相當狹窄頻寬之濾光片,方能避免此 種問題。 本文中我們選擇矽作材料,以便作成一峰值在0.94μm 附近的濾光式光偵測器。唯矽 對吸收變化並不急劇,若利用半導體本身厚度對光之選擇性,做為濾光的依據,將產 生二項缺點:(一)半頻寬太寬,2000 左右;(二)量子效率降低。故我們利用多層薄 膜之特性,直接將此多層膜製造於光二極上,以便改善上述二項缺點。 一般而言,濾光用之多層薄膜,為達濾光之效果,通常以增加多層薄層數的方法來濾 光,唯層數太多,製作成本昂貴且費時,針對此點,若利用非晶型矽對波長8000 以 下之光子強烈吸收的特質,則層數少之多層膜結構,將有可能達到獲頻寬之功能。 在此篇文章中將介紹濾光式偵測器之基本結構及理論分析,以電腦模擬,將二氧化矽 、非晶型矽組成之多層膜系統做一探討,並與利用矽本身厚度產生之濾光效果做一比 較。依據模擬出之數據與實驗比較,結果非常吻合。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 矽 | zh_TW |
dc.subject | 光偵測器 | zh_TW |
dc.subject | 濾光式 | zh_TW |
dc.subject | 半頻寬 | zh_TW |
dc.subject | 量子效率 | zh_TW |
dc.subject | 多層薄膜 | zh_TW |
dc.subject | 非晶型 | zh_TW |
dc.subject | 狹頻寬 | zh_TW |
dc.title | 矽質狹寬光偵測器之研製 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 光電工程學系 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |