矽質透穿崩潰型光二極體之設計及製作

Abstract

本文提供一種簡易製造矽質透穿崩潰光二極體之方法。該法融合離子怖植及傳統擴散 技術，應用高阻值晶片，并適當控制P 層之擴散深度。由此製成二極體具有較低之工 作電壓，且未減低電流增益值。此光二極體對0.1um 波長之量子效率(Puantum effic ievcy)可達84%,倘若在高反向偏壓時之漏電流能獲致一步改善, 則此光二極體必將提 供許多更佳之特性, 此項工作當為再努力之目標。