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dc.contributor.author黃文昌en_US
dc.contributor.authorHUANG,WEN-CHANGen_US
dc.contributor.author李崇仁en_US
dc.contributor.author雷添福en_US
dc.contributor.authorLI,CHONG-RENen_US
dc.contributor.authorLEI,TIAN-FUen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:06:54Z-
dc.date.available2014-12-12T02:06:54Z-
dc.date.issued1989en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782428011en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/54586-
dc.description.abstract在本論文中,我們討論擴散障壁對熱穩定性之影響。在以鈀鍺為基底的歐姆接觸中, 我們在金和鈀鍺之間分別鍍上鉑鈦,鈦鎢合金,鉻三類擴散障壁層,來增加接觸系統 的熱穩定性,並且和沒有障壁層的接觸系統Au╱Ge╱Pd╱GaAs比較電性和物性。首先 ,利用快速加熱退火和高溫爐退火分別對各系統進行退火。結果顯示,當425℃ 90秒 的快速加熱退火施在Au╱Ti-W╱GE╱Pd╱GaAs結構時,可以得到最佳特性接觸電阻, 其值為1.45×10 Ω一cm 。在熱穩定性方向,沒有障壁層的Au╱Ge╱Pd╱GaAs,在 300℃ 40小時熱測試後,仍可維持良好的穩定性,但是當測試溫度增加到 350℃時, 它卻已顯示出嚴重的衰敗現象。然而,在Au╱Ti-W╱Ge╱Pd╱GaAs和Au╱Pt╱Ti╱Ge ╱Pd╱GaAS和Au╱Pt╱Ti╱Ge╱Pd╱GaAs的結構中,經過350℃ 40小時的熱測試,它 們僅有少許的衰敗,它們的特性接觸電阻分別只增到3.79×W Ω 一cm 和2.79× Ω一cm ,這是因為Ti-W和PtTi都是良好的障壁層,它們可以防止金和鈀鍺混合,而 產生不好的衰敗現象。 同時我們也發現,不同厚度的擴散障壁層,也會影響熱穩定性。在Au╱Ti-W╱Ge╱Pd 的結構中,Ti-W最佳的厚度為 600 ,在這樣的條件之下,此結構經過350℃ 40小時 的熱測試,其特性接觸電阻只增加到2.94×10 Ω一cm ,而經過410℃ 40小時的熱 測試,特性接觸電阻,也可維持在1.38×10 Ω一cm 。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject擴散障壁zh_TW
dc.subject鈀鍺zh_TW
dc.subjectN-型砷化鎵歐姆接zh_TW
dc.subject熱穩定性zh_TW
dc.subject鉑鈦zh_TW
dc.subjectzh_TW
dc.subject快速加熱退火zh_TW
dc.subject特性接觸電阻zh_TW
dc.title擴散障壁對於鈀鍺在N-型砷化鎵歐姆接觸熱穩定性之影響zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文