標題: 低溫結晶低壓化學氣相沉積非晶矽薄膜電晶體之製程效應
作者: 吳集錫
WU,JI-XI
雷添福
謝太炯
LEI,TIAN-FU
XIE,TAI-JIONG
電子物理系所
關鍵字: 低溫結晶;低壓化學;氣相沉積;非晶矽薄膜;電晶体;製程效應
公開日期: 1989
摘要: 首先研究以低壓化學氣相沉積法在540∼625℃沉積矽晶薄膜, 再以低溫600℃ 回火24 小時, 而後在這些薄膜上制作電晶體。以540℃ 制成之薄膜電晶體有最好之電特性, 如臨限電壓小到1.5 伏特, 開/ 關電流比大到8 個數量級等。由探討薄膜厚度可以發 現愈薄的薄膜制成之電晶體有較佳之輸出特性。另外還研究以1000,1050,1100℃濕氧 氧化對矽晶薄膜之晶粒構造及對薄膜電晶體特性的影響, 發現1100℃氧化之薄膜電晶 體因增加過飽和的矽摻雜質而有好的結果。最後還研究了再次回火對薄膜電晶體之影 響, 結果發現回火溫度愈高及回火時間愈長有較佳之結果。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782429003
http://hdl.handle.net/11536/54590
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