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dc.contributor.author蔡嘉明en_US
dc.contributor.authorCAI,JIA-MINGen_US
dc.contributor.author李建平en_US
dc.contributor.author雷添福en_US
dc.contributor.authorLI,JIAN-PINGen_US
dc.contributor.authorLEI,TIAN-FUen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:07:18Z-
dc.date.available2014-12-12T02:07:18Z-
dc.date.issued1989en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782430126en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/54739-
dc.description.abstract本論文之目的在研製波是0.98微米之砷化鎵錮╱砷化鎵╱砷化鎵鋁漸緩折射率分離局 限異構(GRINSCH-SQW) 扭曲層單量子井雷射,由於此波長之雷射可避免激發態吸收效 應,故為摻鉺光纖放大器之最佳推動源。在本實驗中我們採用分子束磊晶技術成長GR INSCH-SQW 結構之雷射,根據其波長對量子井寬度之關係,所成長之量子井寬度為60 ,所得之雷射特性如報導一般優異。 在本論文中,我們圖示所量得的各種特性,包括電流對電壓性,雷射光輸出功率對電 流特性,以及光譜特性等,並根據此而推導出其他與雷射特性有關之重要參數。實驗 獲得之內部損失參數為16.7╱公分,內部量子效率為93.4%,透時電流密度約為9.16 安培╱平方公分,整個量子井之微分增益系數的為10公分╱安培;實驗獲得之最低起 始電流密度為 130安培╱平方公分,其共振腔長度為 500微米,所得之微分量子效率 超過90%,對於具有 400微米長共振腔之 5微米寬脊狀雷射,最低起始電流為9 毫安 培,其波長為0.973 微米,並可維持單縱模操作至兩倍起始電流操作下。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject波長0.98微米之砷zh_TW
dc.subject砷化鎵zh_TW
dc.subject砷化鎵鋁zh_TW
dc.subject扭曲層單量子井雷zh_TW
dc.subject折射率分離局限異zh_TW
dc.subject摻鉺光纖放大器zh_TW
dc.subject分子束磊晶技術成zh_TW
dc.subject雷射光輸出功率zh_TW
dc.title波長0.98微米之砷化鎵銦╱砷化鎵╱砷化鎵鋁扭曲層單量子井雷射研製zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
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