波長0.98微米之砷化鎵銦╱砷化鎵╱砷化鎵鋁扭曲層單量子井雷射研製

Abstract

本論文之目的在研製波是0.98微米之砷化鎵錮╱砷化鎵╱砷化鎵鋁漸緩折射率分離局 限異構(GRINSCH-SQW) 扭曲層單量子井雷射，由於此波長之雷射可避免激發態吸收效 應，故為摻鉺光纖放大器之最佳推動源。在本實驗中我們採用分子束磊晶技術成長GR INSCH-SQW 結構之雷射，根據其波長對量子井寬度之關係，所成長之量子井寬度為60 ，所得之雷射特性如報導一般優異。 在本論文中，我們圖示所量得的各種特性，包括電流對電壓性，雷射光輸出功率對電 流特性，以及光譜特性等，並根據此而推導出其他與雷射特性有關之重要參數。實驗 獲得之內部損失參數為16.7╱公分，內部量子效率為93.4％，透時電流密度約為9.16 安培╱平方公分，整個量子井之微分增益系數的為10公分╱安培；實驗獲得之最低起 始電流密度為 130安培╱平方公分，其共振腔長度為 500微米，所得之微分量子效率 超過90％，對於具有 400微米長共振腔之 5微米寬脊狀雷射，最低起始電流為9 毫安 培，其波長為0.973 微米，並可維持單縱模操作至兩倍起始電流操作下。