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dc.contributor.author顏瑛慈en_US
dc.contributor.authorYAN,YING-CIen_US
dc.contributor.author李崇仁en_US
dc.contributor.author雷添福en_US
dc.contributor.authorLI,CHONG-RENen_US
dc.contributor.authorLEI,TIAN-FUen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:07:19Z-
dc.date.available2014-12-12T02:07:19Z-
dc.date.issued1989en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782430130en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/54743-
dc.description.abstract單一波長,單一入射角的橢圓儀只能量得待測薄膜的任意兩個光學參數,因此,必須
再增加一組量測角度,才能測得試片的三個以上的光學參數。前人提出的方法有:(1
) 多入射介質(Multiple-Incidence Medium );(2) 多入射角 (Multiple-Incidence
Angle);(3) 多入射波長 (Multiple Wavelength);(4) 多層膜厚度(Multiple-Film
Thickness)。以上方法各有其優劣點,但是都無法準確量測具高吸收性的薄膜的光學
參數。
我們發展出一能夠同時測得具有吸收性薄膜的三個光學參數,即折射係數 n,吸收係
數k 及厚度的方法:Multiple Sandwiched Layers Ellipsometry 。我們的做法是將
金屬性薄膜同時鍍在兩片長有不同厚度的二氧化矽層的矽晶片上,使用單一波長,單
一入射角的橢圓測厚儀量測,並經計算機運算即可獲得該金屬性薄膜的n,k及厚度了
。本研究也提出了Worst Case Error Sensitivity的觀念及分析結果以決定量得不同
厚度的金屬性薄膜的光學參數所需的最適二氧化矽層厚度。本研究並量測platinum╱
╱SiO ╱Si及poly-oxide╱poly-silicon╱SiO ╱Si這兩個材料結構以驗證本法的實
用性。
由實驗的結果發現,愈厚的鉑金屬薄膜的 n及 k值愈接近其基體(bulk)的折射與吸收
係數。這與我們的預測相同。另外對poly-oxide╱poly-silicon╱SiO ╱Si的量測,
經α-stepper及剖面TEM 的驗證,顯示我們發展出來的方法可以很正確的量得 poly-
oxide 及poly-silicon的厚度。
zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject橢圓測厚儀zh_TW
dc.subject金屬性薄膜zh_TW
dc.subject光學常數及厚度zh_TW
dc.subject光學參數zh_TW
dc.subject多入射介質zh_TW
dc.subject多入射角zh_TW
dc.subject多入射波長zh_TW
dc.subject多層膜厚度zh_TW
dc.title橢圓測厚儀量測金屬性薄膜之光學常數及厚度zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文