完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 顏瑛慈 | en_US |
dc.contributor.author | YAN,YING-CI | en_US |
dc.contributor.author | 李崇仁 | en_US |
dc.contributor.author | 雷添福 | en_US |
dc.contributor.author | LI,CHONG-REN | en_US |
dc.contributor.author | LEI,TIAN-FU | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:07:19Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:07:19Z | - |
dc.date.issued | 1989 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782430130 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/54743 | - |
dc.description.abstract | 單一波長,單一入射角的橢圓儀只能量得待測薄膜的任意兩個光學參數,因此,必須 再增加一組量測角度,才能測得試片的三個以上的光學參數。前人提出的方法有:(1 ) 多入射介質(Multiple-Incidence Medium );(2) 多入射角 (Multiple-Incidence Angle);(3) 多入射波長 (Multiple Wavelength);(4) 多層膜厚度(Multiple-Film Thickness)。以上方法各有其優劣點,但是都無法準確量測具高吸收性的薄膜的光學 參數。 我們發展出一能夠同時測得具有吸收性薄膜的三個光學參數,即折射係數 n,吸收係 數k 及厚度的方法:Multiple Sandwiched Layers Ellipsometry 。我們的做法是將 金屬性薄膜同時鍍在兩片長有不同厚度的二氧化矽層的矽晶片上,使用單一波長,單 一入射角的橢圓測厚儀量測,並經計算機運算即可獲得該金屬性薄膜的n,k及厚度了 。本研究也提出了Worst Case Error Sensitivity的觀念及分析結果以決定量得不同 厚度的金屬性薄膜的光學參數所需的最適二氧化矽層厚度。本研究並量測platinum╱ ╱SiO ╱Si及poly-oxide╱poly-silicon╱SiO ╱Si這兩個材料結構以驗證本法的實 用性。 由實驗的結果發現,愈厚的鉑金屬薄膜的 n及 k值愈接近其基體(bulk)的折射與吸收 係數。這與我們的預測相同。另外對poly-oxide╱poly-silicon╱SiO ╱Si的量測, 經α-stepper及剖面TEM 的驗證,顯示我們發展出來的方法可以很正確的量得 poly- oxide 及poly-silicon的厚度。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 橢圓測厚儀 | zh_TW |
dc.subject | 金屬性薄膜 | zh_TW |
dc.subject | 光學常數及厚度 | zh_TW |
dc.subject | 光學參數 | zh_TW |
dc.subject | 多入射介質 | zh_TW |
dc.subject | 多入射角 | zh_TW |
dc.subject | 多入射波長 | zh_TW |
dc.subject | 多層膜厚度 | zh_TW |
dc.title | 橢圓測厚儀量測金屬性薄膜之光學常數及厚度 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |