延伸閘極型MOSFET陣列之研製輿以WO 為感測材料之偵測二氧化碳金屬微電極

Abstract

在3.7×3.45 mm 的晶片上製作一列五個以Pt微電極為閘門的MOSFET感測元件，並將 它們的金屬閘門延伸至活性區外以避免MOS 結構受到感測物質的腐蝕和污染，增加元 件的耐久性。金屬閘門並加以排列化，目的是為了得到空間解晰度。當我們在閘極延 伸區置放適當的化學感測物質及固態電解質即可用來偵測一些有趣且重要的物質。 在3×3 mm 的晶片上製作工作和計數微電極，並以晶片上一點銀膠做為近似參考電極 。然後在微電極上堆積WO 後，塗上一層PVA/KHCO 固態電解質，用來從事對CO 的 感測。