標題: 使用再結晶低壓化學氣相沉積非晶矽膜的P通道底閘薄膜電晶體之製造和特性
作者: 楊健國
YANG,JIAN-GUO
雷添福
謝太炯
LEI,TIAN-FU
XIE,TAI-JIONG
電子物理系所
關鍵字: 再結晶低壓化學;P 通道底閘薄膜;電晶體製造和特性;三度空間積體電路;記憶體關鍵;二層複晶矽膜晶粒;降低元件;溫度敏感度
公開日期: 1990
摘要: 為配合三度空間積體電路的來臨,我們研製了雙層複晶矽結構並以底層為閘極的P 通 道薄膜電晶體,此技術的建立將是未來發展高密度、高速度及低消耗功率之堆疊式互 補金氧半型靜態隨機存取記憶體的關鍵。為了從根本上改善元件特性,除了使用氯化 氧磷擴散和磷離子植入複晶矽作為底層閘極,也採用磷離子植入的非晶矽為閘極,以 進一步降低第一層復晶矽膜表面的粗糙度,並得到平坦的閘氧化層表面,這對第二層 復晶矽膜的晶粒成長有正面的作用。根據元件汲極電流活化能的分析結果證實,採用 非晶矽閘的薄膜電晶體,其通道中的晶界和有效陷阱能態密度已經明顯地減少許多, 因而使元件特性大幅改善。另外,對第二層複晶矽膜性質的改善,除了使用低溫回火 技術使非晶矽完全結晶,同時也採用熱氧化及氫化的技術。從熱氧化的研究中發現, 元件在經過濕氧處理後要比乾氧處理能有效地降低陷阱能態密度,並提升元件特性; 而且在同樣的氧化條件下,對較薄的膜作處理,效果會比較好。最後我們還探討了元 件在25℃到150℃ 溫度範圍內動作的情形,結果發現減少陷阱能態密度,將可降低元 件諸電性對溫度的敏感度,提高元件的穩定性。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792429010
http://hdl.handle.net/11536/55328
顯示於類別:畢業論文