殘餘蝕刻技術之元件應用

Abstract

藉由殘餘蝕刻技術，可在矽晶片的V 槽形成次微米細線或細點。此技術是將複晶矽沉 積在V 槽上，再利用乾法或濕法蝕刻，讓V 槽尖端留下殘餘之複晶矽。本文中探討此 蝕刻時間之效應。 利用殘餘蝕刻技術可做出短通道元件及微米級的點二極體。點二極的PN介面面積可小 到1×2μm ，適於高頻操作。