R.F.濺鍍鈦酸鋇在矽晶上的顯微結構和電性

Abstract

研究以R.F.濺鍍鈦酸鋇(BaTio )薄膜在矽晶片上的顯微結構和電性性質，在不同的濺 鍍氣氛下，研究薄膜的介電常數和電阻對溫度的關係，薄膜的結構和濺鍍氣氛有關， 當在純氬氣(Ar)下濺鍍，薄膜是立方結構(cubic) ，而且晶粒大約是0.5 微米(um)， 而當在氧氣(O )和氧氣/ 氬氣比例為5/95, 10/90 和20/80 時，薄膜是四方結構(t－ etragonal)，而且晶粒大約是2 到3.3 微米，當在500℃ 下退火，可形成結晶化的薄 膜。 使用鍛燒(calcined)後的靶材在5/95（氧氣/ 氬氣）下濺鍍可得有10 的正溫度係 數(PTCR)的效使應，使用燒結(sintered)後的靶材在5/95, 10/90, 20/80氣氛下濺鍍 沒有發現到有PTCR效應，而相對應於不同的濺鍍氣氛的Sb O 含量分別為1.55mole%, 0.795mole%，和0.543mole%。 使用燒結的靶材在濺鍍氣氛氧氣/ 氬氣為0/100, 10/90, 20/80 下的薄膜附著強度分 別為400, 800, 800kg/cm ，使用鍛燒的靶材在濺鍍氣氛氧氣/ 氬氣為0/100, 10/90 , 20/80 下的薄膜附著強度分別為400, 440, 580kg/cm 。