標題: R.F.濺鍍鈦酸鋇在矽晶上的顯微結構和電性
作者: 江正一
JIANG,ZHENG-YI
林建中
邱璧秀
LIN,JIAN-ZHONG
QIU,BI-XIU
機械工程學系
關鍵字: R.F.濺鍍鈦酸鋇;矽晶;顯微結構;電性;濺鍍;鍛燒;正溫度係數;燒結;(BATIO3);(CALCINED);(PTCR);(SINTERED)
公開日期: 1990
摘要: 研究以R.F.濺鍍鈦酸鋇(BaTio )薄膜在矽晶片上的顯微結構和電性性質,在不同的濺 鍍氣氛下,研究薄膜的介電常數和電阻對溫度的關係,薄膜的結構和濺鍍氣氛有關, 當在純氬氣(Ar)下濺鍍,薄膜是立方結構(cubic) ,而且晶粒大約是0.5 微米(um), 而當在氧氣(O )和氧氣/ 氬氣比例為5/95, 10/90 和20/80 時,薄膜是四方結構(t- etragonal),而且晶粒大約是2 到3.3 微米,當在500℃ 下退火,可形成結晶化的薄 膜。 使用鍛燒(calcined)後的靶材在5/95(氧氣/ 氬氣)下濺鍍可得有10 的正溫度係 數(PTCR)的效使應,使用燒結(sintered)後的靶材在5/95, 10/90, 20/80氣氛下濺鍍 沒有發現到有PTCR效應,而相對應於不同的濺鍍氣氛的Sb O 含量分別為1.55mole%, 0.795mole%,和0.543mole%。 使用燒結的靶材在濺鍍氣氛氧氣/ 氬氣為0/100, 10/90, 20/80 下的薄膜附著強度分 別為400, 800, 800kg/cm ,使用鍛燒的靶材在濺鍍氣氛氧氣/ 氬氣為0/100, 10/90 , 20/80 下的薄膜附著強度分別為400, 440, 580kg/cm 。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792489010
http://hdl.handle.net/11536/55450
顯示於類別:畢業論文