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dc.contributor.author張文平en_US
dc.contributor.authorZHANG,WEN-PINGen_US
dc.contributor.author裘性天en_US
dc.contributor.authorQIU,XING-TIANen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:08:43Z-
dc.date.available2014-12-12T02:08:43Z-
dc.date.issued1990en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792500012en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/55527-
dc.description.abstract本實驗以乙基亞胺鉭錯合物Ⅰ和Ⅱ當前驅物, 在冷壁式(cold-wall) 化學氣相沈積(C hemical Vapor Deposition) 反應器中, 低壓(0.3∼1.0 torr) 及較低溫(500∼650 ℃) 條件下, 研究氮化鉭薄膜在矽晶片基材表面上之成長。 所形成的薄膜具有金屬性澤及良好附著性。所形成之薄膜以電子掃描顯微鏡(SEM) , 波長分散光譜(WDS) , 歐杰深度探測光譜(AES) 及X-光射線繞射光譜(XRD) 鑑定。沉 積過程中所產生之氣體產物以氣相層析質譜鑒定。 從SEM 照片中發現, 薄膜乃以多晶(polycrystalline) 方式成長, 且沉積溫度越高時 所形成薄膜之晶粒(grain) 越大。 從WDS 分析得知, 薄膜之組成與前驅物Ⅰ╱Ⅱ值無關, 但與沉積溫度、前驅物氣化溫 度、氬氣載流氣體之流速、反應系統壓力及載流氣體中含氫氣濃度有關。 從AES 光譜發現, 當薄膜濺射數分鐘後, 各元素均勻地分布在薄膜中。從XRD 光譜中 觀察到, 繞射波峰與沉積溫度、氬氣載流氣體之流速及載流氣體中含氫氣濃度有關。 最後以覺積過程中所產生氣體產物之氣相層析質譜(GC-MAS)及核磁共振光譜(NMR) , 推測本實驗之反應可能途徑。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject乙基亞胺鉭錯合物zh_TW
dc.subject低壓化學zh_TW
dc.subject氯化鉭薄膜zh_TW
dc.subject多晶方式zh_TW
dc.subjectSEMen_US
dc.subjectWDSen_US
dc.subjectAESen_US
dc.subjectXRDen_US
dc.subjectXRDen_US
dc.subjectNMRen_US
dc.title以乙基亞胺鉭錯合物低壓化學紙相沈積氮化鉭薄膜zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department應用化學系碩博士班zh_TW
顯示於類別:畢業論文