完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 楊士昌 | en_US |
dc.contributor.author | Shih-Chang Yang | en_US |
dc.contributor.author | 孟心飛 | en_US |
dc.contributor.author | 洪勝富 | en_US |
dc.contributor.author | Hsin-Fei Meng | en_US |
dc.contributor.author | Sheng-Fu Horng | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:09:05Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:09:05Z | - |
dc.date.issued | 2003 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009127515 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/55768 | - |
dc.description.abstract | 在有機電晶體的領域中,目前仍然偏重於MOS結構的場效薄膜電晶體,然而在這樣的結構下,載子的通道(即源極與汲極間的距離)必須用黃光微影的方式去定義出來,雖然做到微米等級的尺寸,在製程上並沒有太大的困難,但是因為有機高分子的載子遷移率並不高,如果要獲得較大的電流密度,則必須將通道的尺寸縮小至奈米等級,這不僅需要龐大的經費購買器材,在製程上也有很高的困難度。 本論文主要是利用有機高分子材料製作垂直式電晶體,將兩個二極體反向相接,射極注入的熱載子在超薄的金屬基極中傳輸,再被集極接收,則載子的通道尺寸可由蒸鍍的金屬厚度決定,可以輕易的做到奈米尺寸,具有製程簡單且成本低廉的優點。 垂直式有機電晶體的結構為以玻璃為基板,ITO薄膜為集極電極,以旋轉塗佈的方式,成長P3HT作為集極(Collector),接著蒸鍍上很薄的鋁(Al)當作基極(Base),再旋轉塗佈PVK成為射極(Emitter),最後再蒸鍍金(Au)為射極電極,完成PVK(E)-Al(B)-P3HT(C)的半導體-金屬-半導體的SMS結構電晶體。 我們實驗室成功做出了第一個高分子-金屬-高分子電晶體,在共射極(Common Emitter)主動模式(Active mode)的操作下具有調變作用,而且當基極電流IB為-2×10-7A,集極電壓-10V時,集極電流IC=-1.417×10-6A,共射極電流增益β=7.08。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 有機電晶體 | zh_TW |
dc.subject | P3HT | zh_TW |
dc.subject | 垂直式電晶體 | zh_TW |
dc.subject | 有機半導體-金屬-有機半導體電晶體 | zh_TW |
dc.subject | polymer transistor | en_US |
dc.subject | P3HT | en_US |
dc.subject | vertical transistor | en_US |
dc.subject | organic-metal-organic transistor | en_US |
dc.title | 熱電子有機高分子電晶體 | zh_TW |
dc.title | Hot Electron Polymer Transistor | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 物理研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |