面射型雷射的研製與多重量子井能階值之計算

Abstract

本文分為兩部份，Part A是垂直腔面射型雷射的研製，Part B是多重量子井能階值之 計算。在Part A部份，我們針對垂直腔面射型雷射(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，簡稱VCSEL 或SEL)的特性與設計做了仔細的探討。另外，由本實驗 群所設計之Pegrowth SEL結構及其實驗結果，亦為本部份之重點。 在Part B部份，我們利用 Transfer Matrices建立一個模型，以期有效且準確的求出 任意形狀之多重量子井(Multiple Quantum Well) 或位壘(Barrier) 的各能階值，以 作為設計半導元件或光電元件中多重量子井之依據。此外，對於緊制(strain)效應對 能隙及能階值之影響，在本文Part B部份，亦作了定量之探討。