完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 林鉅山 | en_US |
dc.contributor.author | LIN, JU-SHAN | en_US |
dc.contributor.author | 陳衛國 | en_US |
dc.contributor.author | CHEN, WEI-GUO | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:09:24Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:09:24Z | - |
dc.date.issued | 1991 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802429019 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/56019 | - |
dc.description.abstract | 最近幾年來,成長絕緣體,金屬以及其它化合半導體在矽晶片上,已經被廣泛地研究 ,此種應用使得矽半導體技術,遠遠的超越了以往的應用範圍,而使半導體技術進入 化合半導體元件,光電元件以及LSI ,VLSI的新里成碑,但是此種磊晶〞藝術〞,無 論在理論及應用上,了解的程度並不深入,因此成長簡單的砷化鎵╱矽異質磊晶膜, 可使我們進一步了解異質磊晶術之關鍵,而使我們在發展異質磊晶術的過程中,奠定 良好的理論基礎,在本論文中除介紹本實驗室自行組裝的MOCVD 系統外,並對我們利 用TEGa 與TBAs 所磊晶的砷化鎵╱矽異質磊晶薄膜,做一詳細的分析。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 光電元件 | zh_TW |
dc.subject | 化合半導體 | zh_TW |
dc.subject | 薄膜 | zh_TW |
dc.title | 砷化鎵/矽異質薄膜磊晶成長 | zh_TW |
dc.title | Heteroepitaxial growth of GaAs on Si(100) substrate | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子物理系所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |