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dc.contributor.author林鉅山en_US
dc.contributor.authorLIN, JU-SHANen_US
dc.contributor.author陳衛國en_US
dc.contributor.authorCHEN, WEI-GUOen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:09:24Z-
dc.date.available2014-12-12T02:09:24Z-
dc.date.issued1991en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802429019en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/56019-
dc.description.abstract最近幾年來,成長絕緣體,金屬以及其它化合半導體在矽晶片上,已經被廣泛地研究 ,此種應用使得矽半導體技術,遠遠的超越了以往的應用範圍,而使半導體技術進入 化合半導體元件,光電元件以及LSI ,VLSI的新里成碑,但是此種磊晶〞藝術〞,無 論在理論及應用上,了解的程度並不深入,因此成長簡單的砷化鎵╱矽異質磊晶膜, 可使我們進一步了解異質磊晶術之關鍵,而使我們在發展異質磊晶術的過程中,奠定 良好的理論基礎,在本論文中除介紹本實驗室自行組裝的MOCVD 系統外,並對我們利 用TEGa 與TBAs 所磊晶的砷化鎵╱矽異質磊晶薄膜,做一詳細的分析。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject光電元件zh_TW
dc.subject化合半導體zh_TW
dc.subject薄膜zh_TW
dc.title砷化鎵/矽異質薄膜磊晶成長zh_TW
dc.titleHeteroepitaxial growth of GaAs on Si(100) substrateen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子物理系所zh_TW
顯示於類別:畢業論文