標題: 砷化鎵/矽異質薄膜磊晶成長
Heteroepitaxial growth of GaAs on Si(100) substrate
作者: 林鉅山
LIN, JU-SHAN
陳衛國
CHEN, WEI-GUO
電子物理系所
關鍵字: 光電元件;化合半導體;薄膜
公開日期: 1991
摘要: 最近幾年來,成長絕緣體,金屬以及其它化合半導體在矽晶片上,已經被廣泛地研究 ,此種應用使得矽半導體技術,遠遠的超越了以往的應用範圍,而使半導體技術進入 化合半導體元件,光電元件以及LSI ,VLSI的新里成碑,但是此種磊晶〞藝術〞,無 論在理論及應用上,了解的程度並不深入,因此成長簡單的砷化鎵╱矽異質磊晶膜, 可使我們進一步了解異質磊晶術之關鍵,而使我們在發展異質磊晶術的過程中,奠定 良好的理論基礎,在本論文中除介紹本實驗室自行組裝的MOCVD 系統外,並對我們利 用TEGa 與TBAs 所磊晶的砷化鎵╱矽異質磊晶薄膜,做一詳細的分析。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802429019
http://hdl.handle.net/11536/56019
顯示於類別:畢業論文