四百萬位元可抹除可規劃唯讀記憶體在資料持久力方面的研究

Abstract

在本論文中，我們主要對可抹除可規劃唯讀記憶體(EPROM) 在資料持久力方面的研 究，雙層複晶矽之間ONO 及polyoxide 用高溫長時間烘烤，來測試介電質資料儲存 的可靠度，在汲極擾亂特性，用交流信號來討論其可靠度。 在EPROM 元件中，資料持久力是最重要的考慮，ONO 介電層有低漏電流，好的資料 保持力高的崩潰電場。我們發現底層二氧化矽的品質和第一複晶矽的濃度關係很大 ，而邊緣的漏電流，可用較厚的二氧化矽將周圍包圍起來，而元件的氧化層對元件 持久力也很重要。 在汲極擾亂實驗，我們發現高頻交流信號所產生的位移電流對浮動極會有熱效應， 使資料會有嚴重漏失的現象。 最後，EPROM 在照幅射線下，資料持久力有何影響，發現EPROM 在照幅射線後，資 料持久力已不如以前，也就是在外太空操作，得注意幅射線的干擾。