標題: 浮閘金氧半電晶體用於類比式記憶元件之研究
Floating-gate mos transistors as analog memory devices
作者: 趙傳珍
ZHAO, CHUAN-ZHEN
陳明哲
CHEN, MING-ZHE
電子研究所
關鍵字: 浮閘金氧;半電晶體;類比式記憶元件
公開日期: 1991
摘要: 在最近幾年中,人工類神經網路經驗到前所未有的快速成長。然而,唯有超大型積 體電路能實現大量平行特性的類神經網路所具有之龐大計算潛力。 歸因於浮閘金氧半電晶體所具有的類比式儲存及連結特性,其將是一個極有希望用 於完成神經鍵的類比式記憶元件。在這篇論文中展示EPROM 元件除了本身的小面積 與非揮發性優點外,並且實驗數據指出在高頻的操作狀態下可獲得精確的線性規劃 特性,其將為一可應用於完成神經鍵之類比與高解析度特性的好選擇。一個新的元 件結構被提出用以避免EPROM 無法電性抹除的缺點,其將期待更深入的研究。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802430042
http://hdl.handle.net/11536/56075
顯示於類別:畢業論文