電子可抹除記憶體模擬模型

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	羅正銘	en_US
dc.contributor.author	LUO, ZHENG-MING	en_US
dc.contributor.author	羅正忠	en_US
dc.contributor.author	LUO, ZHENG-ZHONG	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:09:29Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:09:29Z	-
dc.date.issued	1991	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802430054	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/56088	-
dc.description.abstract	由於電子可抹除，非改變記憶體非常複雜，所以在完成此記憶體之前，模擬記憶體功能及製程參數就顯得相當重要。為了發展模擬模型，我們運用非常通俗的運算表軟體建立模擬模型去預測記憶晶體臨界電壓對程式脈衝電壓及時間的關係。我們利用2.0 微米元件製造不同藕合值，記憶體晶胞去測量實際晶胞臨界電壓之變化，發現實驗結果與模型模擬值非常接近，由此可證明此模擬模型的準確度。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	電子可抹除	zh_TW
dc.subject	記憶體	zh_TW
dc.subject	模擬模型	zh_TW
dc.title	電子可抹除記憶體模擬模型	zh_TW
dc.title	Eeprom of flotox simulate model	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文