複晶矽化鉑對閘極氧化層特性的影響

Abstract

本論文主旨在於研究在複晶閘極上形成複晶矽化鉑對閘極氧化層特性造成的影響以 及如何降低複晶矽化鉑的片電阻以符合積體電路的基本需要。在對氧化層的影響方 面，複晶矽化鉑當作閘極雖崩潰電壓和崩潰電荷沒有影響但會稍微增加氧化層和矽 基底間介面的陷阱密度，其原因尚未知，不過可以確定不是因為矽化鉑的較大溫度 膨脹係數形成的熱應力所造成。就降低阻值方面，可在鍍鉑前先墊一層薄非晶矽並 確定在形成矽化物時這層非晶矽會被完全反應成矽化物以避免串聯電阻及串聯電容 。另外，本實驗也證實高於 650℃的溫度處理會增加介面陷阱密度，而這可以靠水 汽處理來改善。