標題: | 以有機金屬化學氣相沈積法成長磷化鋁鎵銦及材料應用 AlGaInP growth by MOCVD and its applications |
作者: | 簡昭欣 JIAN, ZHAO-XIN 張俊彥 ZHANG, JUN-YAN 電子研究所 |
關鍵字: | 有機金屬化學氣;相沈積法;成長磷化鋁鎵銦;材料應用 |
公開日期: | 1991 |
摘要: | 我們成功地使用低壓有機金屬沈積法長出晶格完全與砷化鎵晶體匹配的磷化鋁鎵銦 。實驗中可感知鋁的化學活性相當激烈,它的化合效率大約為鎵的二到三倍。因此 ,在估算汽相莫耳分率時,鋁的活性效應必須考慮。晶品的良劣經雙晶X-射線,光 學顯微鏡,PL光譜及Hall量測來判斷。當成長溫度高於 700℃, V/III 值較小時, 晶片表面像鏡面一樣光滑。在500 倍顯微鏡下,表面缺陷的密度會因鋁含量增加和 鋅雜質的摻與而顯著增加,但硒摻雜卻戲劇化地降低了缺陷的密度。電子和電洞濃 度分別可達到2×1018與1×1018。所構置出來的發光二極體波長為橙色光。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802430078 http://hdl.handle.net/11536/56116 |
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