| 标题: | 复晶矽上介电层成长之研究 Study of the dielectrics grown on Poly-Si films |
| 作者: | 张三荣 ZHANG, SAN-RONG 郑晃忠 ZHENG, HUANG-ZHONG 电子研究所 |
| 关键字: | 复晶矽;介电层成长研究 |
| 公开日期: | 1991 |
| 摘要: | 为了评估复晶矽上之介电层的电性及可靠度，本实验针对三种介电层结构，即复晶 矽氧化层，薄氮化矽层的再氧化和二氧化矽／氮化矽／复晶矽氧化层，来探讨其特 性及可靠度。 在复晶矽氧化层结构中；制备三种厚度及三种不同底层复晶矽的掺杂浓度，利用 1000℃及 900℃干氧来成长。结果发现高温氧化减少在晶界中的加速氧化效应，使 其具有较平坦的界面，以致于比低温氧化存在较大崩溃电场及崩溃时间、较小的电 子捕捉率及较高的位障高度。 在薄氮化层再氧化结构中；在1000℃再氧化时，薄氮化矽层被重新键结成氮氧化矽 层，虽然增加正偏压时的电性和可靠度，但引起反偏压时较大漏电流及较低位障高 度；利用 900℃再氧化，形成氮化矽／复晶矽氧化层结构，虽然把界面平坦化而增 加电性，但也引起较大电子捕捉率。 在二氧化矽／氮化矽／复晶矽氧化层结构中，800℃ 湿氧化制程，漏电流明显地比 复晶矽氧化层小；且针对底层复晶矽氧化层、氮化矽和二氧化矽的厚度效应做探讨 。在电子通量方面，氮化矽层厚度占重要角色，适量底层复晶矽氧化层厚度、氮化 矽与二氧化矽层厚度的组合，可得到低漏电流且高电子通量(36 Coul/cm□)的介电 层。 |
| URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802430079 http://hdl.handle.net/11536/56117 |
| 显示于类别： | Thesis |
