標題: 矽氧化物之氧電漿改質
Oxygen plasma modification of siloxane
作者: 許保陽
XU, BAO-YANG
龍文安
LONG, WEN-AN
應用化學系碩博士班
關鍵字: 電漿改質;溫度;積體電路
公開日期: 1991
摘要: 一般使用高溫回火來使SOG (Spin-on-Glass) 轉化成積體電路製程上所需要的介電質 ,但因所需溫度太高(>500 ℃),不易使用於低溫的積體電路製程中。 本研究主要針對於低溫養電漿進行SOG 改質各種實驗條件的探討。利用FTIR光譜儀來 分析商用SOG (Accuglass 111, Siloxane) 化學結構上的變化。實驗發現:短時間 (5min)的養電漿處理,在FTIR光譜中,即有明顯的變化。亦發現低溫(30℃)時所引起 的FTIR光譜改變不亞於高溫(80∼180 ℃)之氧電漿。至於壓力與功率條件,兩者有類 似的結果,在某一適當值之間,即可使FTIR光譜有最大的變化量。氣體流速的影響, 則呈現不規則的變化。 此外,亦發現紫外光照射對本研究所用之SOG 沒有作用,經數十小時照射後,FTIR光 譜幾乎不變。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802500028
http://hdl.handle.net/11536/56333
顯示於類別:畢業論文