運用氫電漿前處理對離子植入負型阻劑之氧電漿清除的探討

Abstract

由於元件縮小化的未來趨勢，能製作淺接面離子植入之離子佈植技術便成為不可或 缺的工具。因為離子佈值是低溫製程，所以高分子阻劑常被拿來當做局部離子佈植 時之罩幕。高分子阻劑雖然有其方便性，但是在清除時卻遭遇了困難。本研究便針 對此點做探討，並提出以氫電漿前處理作為解決之方法。以Si□及As□當離子源植 入HR-200中，可發現氫電漿前處理時間越久，溫度越高，對於改良氧電漿清除的效 果越好。經由FT-IR 證實氫電漿確實對於離子佈植後之阻劑有改質效果，其活性氫 原子能與離子形成易揮發性之氫化物。ESCA資料顯示氧電漿清除時產生難以揮發之 氧化物，而氫電漿則能有效清除佈植之離子。