标题: | TEGa, TBAs气相成长GaAs薄膜反应机制之研究 Kinetic study of epitaxial growth of GaAs using TEGa and TBAs |
作者: | 张峻荣 Zhang, Jun-Rong 陈卫国 Chen, Wei-Guo 电子物理系所 |
关键字: | 反应机制;成长效率;薄膜;电子物理;电子工程;ELECTROPHYSICS;ELECTRONIC-ENGINEERING |
公开日期: | 1991 |
摘要: | 本文主要探讨以 TEGa 和 TBAs 等新型前导物成长砷化镓薄膜的反应动力学。在温 度 450℃至 500℃附近最大磊晶效率远低于质传速率的限制。然而,2000 至 7000 micron/mole 的成长效率已属合理,与TMGa 和Arsine 的成长效率相近。我们也详 细探讨在气相中可能形成加合物和后续的寄生反应。而低温特性所呈现35.6 Kacl/ mole之表面反应活化能和DEGa在砷化镓表面释出乙烯的脱附活化能相当,这显示低 温磊晶受制于三乙镓在表面的不完全分解。另外,我们采用Hall量测和冷激光量测 来分析薄膜品质,试片的电子迁移率最高可达6859 cm□/Vsec。显然,TEGa和TBAs 这一组新型前导物非常适合砷化镓单晶薄膜之磊晶应用。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT804429004 http://hdl.handle.net/11536/56448 |
显示于类别: | Thesis |