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dc.contributor.author蔡德安en_US
dc.contributor.authorCai, De-Anen_US
dc.contributor.author李崇仁en_US
dc.contributor.author雷添福en_US
dc.contributor.authorLi, Chong-Renen_US
dc.contributor.authorLei, Tian-Fuen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:10:02Z-
dc.date.available2014-12-12T02:10:02Z-
dc.date.issued1991en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT804430012en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/56464-
dc.description.abstract在本論文中,我們報告一個用疊形非晶矽膜當擴散源而形成的高品質 p﹢-N淺接面 。參雜原子會在疊形射極裡層與層間的介面聚集,對由基極入射的少數載子產生多 重電位能障,因而降低基極電流。疊形非晶矽膜形成的 P﹢-N接面有很低的反向漏 電流(<0.8 nA/cm□在-5V偏壓)和順向理想係數m<1.02超過七個數級。本文裡 ▔ ▔ 也有討論硼原子在疊形非晶矽膜,疊形複晶矽膜和單層複晶矽膜中的擴散方式。由 於散亂的擴散結構和參雜原子在層與層間的介面水平快速擴散,因此用疊形擴散源 可形成較均勻的P﹢-N 接面。由於散亂的擴散源結構和層與層之間介面對雜質原子 擴散的阻擋效應,疊形擴散源P﹢-N 接面有較單層複晶矽擴散源P﹢-N 接面為淺的 接面深度。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject疊形非晶矽膜zh_TW
dc.subject複晶矽zh_TW
dc.subjectP + -N 淺接面zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.titleCharacteristics of polysilicon contacted P﹢-N shallowjunction formed with stacked amorphous silicon filmszh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
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