Characteristics of polysilicon contacted P﹢-N shallowjunction formed with stacked amorphous silicon films

Abstract

在本論文中，我們報告一個用疊形非晶矽膜當擴散源而形成的高品質 p﹢-N淺接面 。參雜原子會在疊形射極裡層與層間的介面聚集，對由基極入射的少數載子產生多 重電位能障，因而降低基極電流。疊形非晶矽膜形成的 P﹢-N接面有很低的反向漏 電流（＜0.8 nA/cm□在-5V偏壓）和順向理想係數ｍ＜1.02超過七個數級。本文裡 ▔ ▔ 也有討論硼原子在疊形非晶矽膜，疊形複晶矽膜和單層複晶矽膜中的擴散方式。由 於散亂的擴散結構和參雜原子在層與層間的介面水平快速擴散，因此用疊形擴散源 可形成較均勻的P﹢-N 接面。由於散亂的擴散源結構和層與層之間介面對雜質原子 擴散的阻擋效應，疊形擴散源P﹢-N 接面有較單層複晶矽擴散源P﹢-N 接面為淺的 接面深度。