標題: 有機金屬氣相磊晶法成長GaP材料之研究
Growth of GaP by OMVPE
作者: 涂瑞清
XU, RUI-QING
李威儀
LI, WEI-YI
電子物理系所
關鍵字: 有機金屬;氣相磊晶法;GaP材料
公開日期: 1992
摘要: 以OMVPE 的磊晶技術,應用在光電材料的基礎研究,或是光電元件的製作上,無疑 的已經成為未來的主流之一。隨著OMVPE 系統在硬體設備及軟體發展上的提升,使 得研究者更能掌握磊晶的過程及結果,因此在商用上量產的能力也大為提昇。 我們以自組的常壓OMVPE 磊晶系統,從事GaP 材料磊晶之研究。在GaP/Si的異質磊 晶中,主要是探討以流量調制磊晶法成長緩衝層的時候,長晶條件(如V/III 比、 TMGa莫耳流率、PH□莫耳流率、成長溫度)和島嶼成長形成的關係,我們發現在長 晶溫度為550℃、TMGa 莫耳流率為25μmole/min、V/III 比為200 時,會由三維成 長變成二維成長,依據此緩衝層的最佳條件,繼續尋找後續磊晶層的最佳條件。而 在GaP/GaP的磊晶研究上,主要是探討長晶條件(如V/III比、TMGa莫耳流率、PH□ 莫耳流率、成長溫度),對磊晶層表面平整度的影響,經由實驗的結果發現,在長 晶溫度為750℃、TMGa 莫耳流率為13μmole/min、V/III 比為25時,其表面的hil- lock數目最小,而且沒有hatch 產生,因此就可利用這組長晶條件,作為日後成長 其它含鏻材料如,GaAsP、AlPn/GaPm緩衝層的條件。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT812429025
http://hdl.handle.net/11536/57286
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