石英蝕刻調細式相移光罩之模擬與研製

Abstract

相移光罩能在不改變原有製程與曝光機設備下，達到改進解像度與聚 焦深度的目的。但由於光罩缺陷的控制及修補不易，阻礙了相移光罩應用 於實際製程。調細式相移光罩具有製造較易、適合任何圖案設計、耐用性 高等優點。近年來，單層調細式相移光罩的發展，使得製造方法之簡便性 接近傳統光罩，改善了相移光罩製造困難，缺陷控制及修補不易的缺點。 本論文以最新版之模擬軟體，針對0.35微米製程，整合性的探討傳統 光罩與調細式相移光罩之製程寬容度。本論文首創以頂部臨界尺寸之曝 光 - 離焦樹狀圖分析模擬結果，尋找對調細式相移光罩合適的步進機光 學參數值。本論文亦探討鉻膜透光度與圖案正負偏差對調細式相移光罩製 程寬容度的影響。 文獻已報導，以調細式相移光罩，改善製程寬容度 原本甚差之密集線 / 隙甚難。本論文模擬發現，如使用數值光圈為0.5， 相干度為0.6之曝光步進機可對密集線/ 隙之製程寬容度有相當的改善。 經由實作光罩，阻劑成像，証明模擬結果與實驗相當符合。具有前述光學 參數之曝光步進機仍為國內微電子工業界所廣泛使用。因此，本論文具有 高度實際應用價值。