新的二維熱載子模擬技術及在次微米金氧半場效電晶體和快閃記憶體分析上的應用

標題:	新的二維熱載子模擬技術及在次微米金氧半場效電晶體和快閃記憶體分析上的應用 A new 2-D hot-carrier modeling technique and its applications to submicrometer MOSFETs and flash EEPROM analysis
作者:	溫□珊吳慶源電子研究所
公開日期:	1994
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT836430100 http://hdl.handle.net/11536/59942
顯示於類別：	畢業論文