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dc.contributor.author賴朝松en_US
dc.contributor.authorLai, Chao-Songen_US
dc.contributor.author雷添福en_US
dc.contributor.author李崇仁en_US
dc.contributor.authorLei, Tian Fuen_US
dc.contributor.authorLi, Chong-Renen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:16:09Z-
dc.date.available2014-12-12T02:16:09Z-
dc.date.issued1995en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT843428001en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/61093-
dc.description.abstract在此論文中,主要是探討N2O 氣體於深次微米金氧半場效電晶體及複晶矽氧化層之 應用。首先我們開發N2O 氮化閘極氧化層的最佳化,以及低溫化製程。實驗結果顯 示,氮在SiO2/Si 界面的累積隨著N2O 氮化的時間加長而提高,然而過多的氮會劣 化氧化層,可能是因超過一時間後,氮的累積會往氧化層內部擴散。此外,等效電 荷捕獲率因著N2O 氮化而減小,就著80埃的厚度我們得到一最佳氮化條件即是於40 分鐘氧化後,加上40分鐘N2O 氮化。低溫化也是另一個重點,我們提出一種新的技 術,在850。C之N2O 氮化亦能改善氧化層的特性,包括電荷捕獲率,熱載子(Hot-C arrier) 的劣化及反短通道效應(RSCE)的改善。 對高密度整合製程而言,垂直式的薄膜電晶體是一良好的選擇,因為其通道長度決 定於氧化層或複晶矽薄膜的厚度,而不受光罩技術的限制,因此一新型結構的垂直 式的複晶矽薄膜電晶體(VTFT),在此提出並將其製造出來。此垂直式的複晶矽薄膜 電晶體擁有自動對準的偏移量(Offset),此一新型結構的VTFT其通道長度是控制於 複晶矽薄膜的厚度,因而不需次微米的技術面完成次微米的成品。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject複晶矽氧化層zh_TW
dc.subject深次微米金氧半場效電晶體zh_TW
dc.subject薄膜電晶體zh_TW
dc.subjectN2Oen_US
dc.subjectVTFTen_US
dc.titleN2O氣體於深次微米金氧半場效電晶體及複晶矽氧化層之應用zh_TW
dc.titleThe Application of N2O for Deep-submicron MOSFETs and Polysilicon Oxidesen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文